石墨烯材料制成的石墨烯纳米带可展示优良的半导体性能，但其半导体特性与石墨烯纳米带边缘的碳原子排列密切相关，如边缘的碳原子呈锯齿状状排列，显示出的是金属导体的性能，如呈有规则的“扶手椅”状排列，则显示出半导体性能，因此对其制备技术的要求非常严格。
据介绍，科研团队开发出一种新的方法，通过将预先制备的碳分子材料在高真空环境中气化，如拼图一般逐步沉积在黄金材料的基底上，形成宽度为1纳米、长度为50纳米的石墨烯纳米带。这种石墨烯纳米结构只能通过隧道扫描显微镜进行观察，它具有精确有序的原子排列结构，宽度为9个碳原子，边缘的碳原子呈整齐的“扶手椅”排列，因此具有足够大而且非常精确的能量禁带，展现优良的半导体性能，在导通状态和截止状态通过的电流强度差别足够大。